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肖特基勢壘二極管，又稱熱載流子二極管。利用金屬-半導體(M-S)接觸特性制成，有點接觸型和面結合型兩種管芯結構。

為了在真空中從金屬或半異體上放出電子，就必須給電子施加一一定的能量，將這個能量稱為功函數(shù)，不同種類的金屬和半導體擁有各自不同的固有功函敷值。使兩種材料接觸，

電子會從功函數(shù)小的材料向功函數(shù)大的材料方向流動。如果使n型半導體與比其功函數(shù)大的金屬材料接觸，則與pn結情況一樣從半導體流出電子、而在n型半導體中形成耗盡層，產生接觸電勢。

由于耗盡層使得在金屬和半導體的接觸處產生了整流作用，所以稱這樣的整流二極管為肖特基勢壘二極管(Schotky Barrier Diode, SBD)。

另外，當n型半導體與比其功函數(shù)小的金屬相接觸時，由于電子從金屬向半導體的方向流動，所以不會形成耗盡層，也不發(fā)生整流作用，成為了所謂的歐姆接觸( ohmic contact)。

SBD是單極型器件，由于不發(fā)生所謂的少數(shù)載流子存儲效應，所以電流極性反轉時反向恢復快，適用于高速開關。但是，對非常高速的開關而言，為了使它也形成耗盡層，對應接合容量的過渡電流可能會引起些問題。另-方面，正向壓降低也是SBD的優(yōu)點。 

然而，用于高壓的器件制作困難，因此SBD主要限定用于50V以下的低壓高速開關場合。